Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Charge-coupled device area detector for low energy electrons.

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F03%3A12030005" target="_blank" >RIV/68081731:_____/03:12030005 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Charge-coupled device area detector for low energy electrons.

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A fast position-sensitive detector was designed for the angle- and energy-selective detection of signal electrons in the scanning low energy electron microscope (SLEEM), based on a thinned back-side directly electron-bombarded charged-coupled device (CCD) sensor (EBCCD). The principle of the SLEEM operation and the motivation for the development of the detector are explained. The electronics of the detector is described as well as the methods used for the measurement of the electron-bombarded gain and of the dark signal. The EBCCD gain of 565 for electron energy 5 keV and dynamic range 59 dB for short integration time up to 10 ms at room temperature were obtained. The energy dependence of EBCCD gain and the detection efficiency are presented for electron energy between 2 and 5 keV, and the integration time dependence of the output signals under dark conditions is given for integration time from 1 to 500 ms.

  • Název v anglickém jazyce

    Charge-coupled device area detector for low energy electrons.

  • Popis výsledku anglicky

    A fast position-sensitive detector was designed for the angle- and energy-selective detection of signal electrons in the scanning low energy electron microscope (SLEEM), based on a thinned back-side directly electron-bombarded charged-coupled device (CCD) sensor (EBCCD). The principle of the SLEEM operation and the motivation for the development of the detector are explained. The electronics of the detector is described as well as the methods used for the measurement of the electron-bombarded gain and of the dark signal. The EBCCD gain of 565 for electron energy 5 keV and dynamic range 59 dB for short integration time up to 10 ms at room temperature were obtained. The energy dependence of EBCCD gain and the detection efficiency are presented for electron energy between 2 and 5 keV, and the integration time dependence of the output signals under dark conditions is given for integration time from 1 to 500 ms.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F00%2FP001" target="_blank" >GA102/00/P001: Detektor úhlového rozdělení signálních elektronů v nízkoenergiovém mikroskopu</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2003

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Review of Scientific Instruments

  • ISSN

    0034-6748

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    74

  • Číslo periodika v rámci svazku

    7

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    3379-3384

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus