Charge-coupled device area detector for low energy electrons.
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F03%3A12030005" target="_blank" >RIV/68081731:_____/03:12030005 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Charge-coupled device area detector for low energy electrons.
Popis výsledku v původním jazyce
A fast position-sensitive detector was designed for the angle- and energy-selective detection of signal electrons in the scanning low energy electron microscope (SLEEM), based on a thinned back-side directly electron-bombarded charged-coupled device (CCD) sensor (EBCCD). The principle of the SLEEM operation and the motivation for the development of the detector are explained. The electronics of the detector is described as well as the methods used for the measurement of the electron-bombarded gain and of the dark signal. The EBCCD gain of 565 for electron energy 5 keV and dynamic range 59 dB for short integration time up to 10 ms at room temperature were obtained. The energy dependence of EBCCD gain and the detection efficiency are presented for electron energy between 2 and 5 keV, and the integration time dependence of the output signals under dark conditions is given for integration time from 1 to 500 ms.
Název v anglickém jazyce
Charge-coupled device area detector for low energy electrons.
Popis výsledku anglicky
A fast position-sensitive detector was designed for the angle- and energy-selective detection of signal electrons in the scanning low energy electron microscope (SLEEM), based on a thinned back-side directly electron-bombarded charged-coupled device (CCD) sensor (EBCCD). The principle of the SLEEM operation and the motivation for the development of the detector are explained. The electronics of the detector is described as well as the methods used for the measurement of the electron-bombarded gain and of the dark signal. The EBCCD gain of 565 for electron energy 5 keV and dynamic range 59 dB for short integration time up to 10 ms at room temperature were obtained. The energy dependence of EBCCD gain and the detection efficiency are presented for electron energy between 2 and 5 keV, and the integration time dependence of the output signals under dark conditions is given for integration time from 1 to 500 ms.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F00%2FP001" target="_blank" >GA102/00/P001: Detektor úhlového rozdělení signálních elektronů v nízkoenergiovém mikroskopu</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Review of Scientific Instruments
ISSN
0034-6748
e-ISSN
—
Svazek periodika
74
Číslo periodika v rámci svazku
7
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
3379-3384
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—