Mapping of Dopants in Silicon by Injection of Electrons

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F10%3A00352508" target="_blank" >RIV/68081731:_____/10:00352508 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Mapping of Dopants in Silicon by Injection of Electrons
Popis výsledku v původním jazyce
Mapping of the p-type dopant in an n-type silicon substrate was studied on a planar structure composed of variously sized doped patterns of various dopant densities. The traditional imaging by means of secondary electrons and its quantifiability was verified and the method was extended to the very low energy range.
Název v anglickém jazyce
Mapping of Dopants in Silicon by Injection of Electrons
Popis výsledku anglicky
Mapping of the p-type dopant in an n-type silicon substrate was studied on a planar structure composed of variously sized doped patterns of various dopant densities. The traditional imaging by means of secondary electrons and its quantifiability was verified and the method was extended to the very low energy range.

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of 5th Japan-China-Norway Cooperative Symposium on Nanostructure of Advanced Materials and Nanotechnology
ISBN
978-4-9903248-2-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
University of Toyama
Místo vydání
Toyama
Místo konání akce
Toyama
Datum konání akce
12. 9. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)