Studium vlastností dopovaného křemíku pomocí fotoemisní elektronové mikroskopie s využitím energiového filtru

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F06%3A00049011" target="_blank" >RIV/68081731:_____/06:00049011 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon

Popis výsledku v původním jazyce

4) PEEM equipped with high-pass energy filter as a surface sensitive tool was used for characterization of electron-optical contrast between differently doped areas in silicon. The native-oxide covered samples of both p- and n-type with dopant concentrations of 1015 to 1019 cm-3 were observed. In full photoemission the contrast disappears when decreasing the dopant concentration, while in filtered images the inverted contrast is preserved for all dopant concentrations. The photothreshold difference between p- and n-type (indicated by the shift of the energy spectra) increases up to 0.2 eV at the highest concentrations.

Název v anglickém jazyce

The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon

Popis výsledku anglicky

4) PEEM equipped with high-pass energy filter as a surface sensitive tool was used for characterization of electron-optical contrast between differently doped areas in silicon. The native-oxide covered samples of both p- and n-type with dopant concentrations of 1015 to 1019 cm-3 were observed. In full photoemission the contrast disappears when decreasing the dopant concentration, while in filtered images the inverted contrast is preserved for all dopant concentrations. The photothreshold difference between p- and n-type (indicated by the shift of the energy spectra) increases up to 0.2 eV at the highest concentrations.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F04%2F0281" target="_blank" >GA202/04/0281: Mapování lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů při vysokém prostorovém rozlišení</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 10th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation

ISBN

80-239-6285-X

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

25-28

Název nakladatele

ISI AS CR

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Skalský dvůr

Datum konání akce

22. 5. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—