Profiling N-Type Dopants in Silicon

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F10%3A00340745" target="_blank" >RIV/68081731:_____/10:00340745 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216224:14310/10:00043560

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Profiling N-Type Dopants in Silicon

Popis výsledku v původním jazyce

Variously doped n-type structures (dopant concentration between 1.5x10e16 cm-3 and 1.5x10e19 cm-3) on a lightly doped p-type silicon substrate (doped to 1.9x10e15 cm-3) have been examined by a photoemission electron microscope equipped with a high-pass energy filter and by an ultra-high vacuum scanning low energy electron microscope. High contrast have been observed between the n-type areas and the p-type substrate and its monotone dependency on the doping level of structures has been manifested. The relation between the energy spectra of photoelectrons and the doping level has been studied, too. The scanning electron microscope images obtained with the landing energy of the primary beam in the low keV range exhibit contrasts similar to those appearingin the full threshold photoemission micrographs.

Název v anglickém jazyce

Profiling N-Type Dopants in Silicon

Popis výsledku anglicky

Variously doped n-type structures (dopant concentration between 1.5x10e16 cm-3 and 1.5x10e19 cm-3) on a lightly doped p-type silicon substrate (doped to 1.9x10e15 cm-3) have been examined by a photoemission electron microscope equipped with a high-pass energy filter and by an ultra-high vacuum scanning low energy electron microscope. High contrast have been observed between the n-type areas and the p-type substrate and its monotone dependency on the doping level of structures has been manifested. The relation between the energy spectra of photoelectrons and the doping level has been studied, too. The scanning electron microscope images obtained with the landing energy of the primary beam in the low keV range exhibit contrasts similar to those appearingin the full threshold photoemission micrographs.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Materials Transactions

ISSN

1345-9678

e-ISSN

—

Svazek periodika

51

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

JP - Japonsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—