Studium vlastností dotovaného křemíku pomocí fotoemisní elektronové mikroskopie s využitím energiového filtru

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F08%3A00308203" target="_blank" >RIV/68081731:_____/08:00308203 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

High-pass energy-filtered photoemission electron microscopy imaging of dopants in silicon

Popis výsledku v původním jazyce

Differently doped areas in silicon can show strong electron-optical contrast in dependence on the dopant concentration and surface conditions. Photoemission electron microscopy is a powerful surface-sensitive technique suitable for fast imaging of doping-induced contrast in semiconductors. We report on the observation of Si (100) samples with n- and p-type doped patterns (with the dopant concentration varied from 1016 to 1019 cm-3) on a p- and n-type substrate (doped to 1015 cm-3), respectively. A high-pass energy filter of the entire image enabled us to obtain spectroscopic information, i.e. quantified photo threshold and related photoyield differences depending on the doping level. Measurements have confirmed the possibility of resolving areas at a high contrast even with the lowest dopant concentration when employing the energy filter. The influence of electron absorption phenomena on contrast formation is discussed.

Název v anglickém jazyce

High-pass energy-filtered photoemission electron microscopy imaging of dopants in silicon

Popis výsledku anglicky

Differently doped areas in silicon can show strong electron-optical contrast in dependence on the dopant concentration and surface conditions. Photoemission electron microscopy is a powerful surface-sensitive technique suitable for fast imaging of doping-induced contrast in semiconductors. We report on the observation of Si (100) samples with n- and p-type doped patterns (with the dopant concentration varied from 1016 to 1019 cm-3) on a p- and n-type substrate (doped to 1015 cm-3), respectively. A high-pass energy filter of the entire image enabled us to obtain spectroscopic information, i.e. quantified photo threshold and related photoyield differences depending on the doping level. Measurements have confirmed the possibility of resolving areas at a high contrast even with the lowest dopant concentration when employing the energy filter. The influence of electron absorption phenomena on contrast formation is discussed.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F05%2F2327" target="_blank" >GA102/05/2327: Přímé zobrazení rozložení dopantů v polovodiči pomocí pomalých elektronů</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Microscopy

ISSN

0022-2720

e-ISSN

—

Svazek periodika

230

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

42-47

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—