Původ kontrastu v zobrazení dopované oblasti křemíku pomocí pomalých elektronů
Popis výsledku
Důležitost zobrazit s vysokým rozlišením kontrast dopantů v polovodičových strukturách roste spolu s trvale se zvyšujícím se stupněm integrace a složitosti a zvětšujícími se rozměry substrátů. Některé režimy rastrovacího elektronového mikroskopu ukazujíjistý nevelký kontrast mezi různě dopovanými oblastmi, nicméně podrobná interpretace obrazu zůstává spornou, zejména pokud jde měření koncentrace dopantu. Fotoemisní spektromikroskopie na křemíkových substrátech s obrazci dopovaných oblastí opačného typunaznačuje, že p/n kontrast se primárně vztahuje k místním rozdílům v absorpci horkých elektronů podél jejich trajektorie k povrchu. Toto vysvětlení se předpokládá rovněž v případě interpretace obrazů v signále sekundárních elektronů a velmi pomalých zpětně odražených elektronů. Přímo zobrazující fotoemisní elektronová mikroskopie (PEEM) se osvědčila jako rychlá zobrazovací metoda poskytující vysoký p-n kontrast a možnosti dosažení vysokého rozlišení obrazu.
Klíčová slova
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The origin of contrast in the imaging of doped areas in silicon by slow electrons
Popis výsledku v původním jazyce
The importance of high resolution imaging of dopant contrast in semiconductor structures parallels the continuous increase in the degree of their integration and complexity, and in the size of substrates. Some scanning electron microscopy modes show moderate contrast between differently doped areas, but its detailed interpretation remains questionable, in particular as regards measurement of the dopant concentration. Photoemission spectro-microscopy on silicon substrates with patterns of opposite-type dopants suggests that the p/n contrast is primarily related to local differences in the absorption of hot electrons along their trajectory toward the surface. This explanation is also expected to be valid in the interpretation of image contrasts formed bysecondary electrons or very slow backscattered electrons. Wide-field PhotoEmission Electron Microscopy (PEEM) has proved itself a fast imaging method providing large p-n contrast and the prospect of high-level resolution.
Název v anglickém jazyce
The origin of contrast in the imaging of doped areas in silicon by slow electrons
Popis výsledku anglicky
The importance of high resolution imaging of dopant contrast in semiconductor structures parallels the continuous increase in the degree of their integration and complexity, and in the size of substrates. Some scanning electron microscopy modes show moderate contrast between differently doped areas, but its detailed interpretation remains questionable, in particular as regards measurement of the dopant concentration. Photoemission spectro-microscopy on silicon substrates with patterns of opposite-type dopants suggests that the p/n contrast is primarily related to local differences in the absorption of hot electrons along their trajectory toward the surface. This explanation is also expected to be valid in the interpretation of image contrasts formed bysecondary electrons or very slow backscattered electrons. Wide-field PhotoEmission Electron Microscopy (PEEM) has proved itself a fast imaging method providing large p-n contrast and the prospect of high-level resolution.
Klasifikace
Druh
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
e-ISSN
—
Svazek periodika
100
Číslo periodika v rámci svazku
9
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—
Druh výsledku
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Rok uplatnění
2006