Původ kontrastu v zobrazení dopované oblasti křemíku pomocí pomalých elektronů

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F06%3A00043926" target="_blank" >RIV/68081731:_____/06:00043926 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

The origin of contrast in the imaging of doped areas in silicon by slow electrons

Popis výsledku v původním jazyce

The importance of high resolution imaging of dopant contrast in semiconductor structures parallels the continuous increase in the degree of their integration and complexity, and in the size of substrates. Some scanning electron microscopy modes show moderate contrast between differently doped areas, but its detailed interpretation remains questionable, in particular as regards measurement of the dopant concentration. Photoemission spectro-microscopy on silicon substrates with patterns of opposite-type dopants suggests that the p/n contrast is primarily related to local differences in the absorption of hot electrons along their trajectory toward the surface. This explanation is also expected to be valid in the interpretation of image contrasts formed bysecondary electrons or very slow backscattered electrons. Wide-field PhotoEmission Electron Microscopy (PEEM) has proved itself a fast imaging method providing large p-n contrast and the prospect of high-level resolution.

Název v anglickém jazyce

The origin of contrast in the imaging of doped areas in silicon by slow electrons

Popis výsledku anglicky

The importance of high resolution imaging of dopant contrast in semiconductor structures parallels the continuous increase in the degree of their integration and complexity, and in the size of substrates. Some scanning electron microscopy modes show moderate contrast between differently doped areas, but its detailed interpretation remains questionable, in particular as regards measurement of the dopant concentration. Photoemission spectro-microscopy on silicon substrates with patterns of opposite-type dopants suggests that the p/n contrast is primarily related to local differences in the absorption of hot electrons along their trajectory toward the surface. This explanation is also expected to be valid in the interpretation of image contrasts formed bysecondary electrons or very slow backscattered electrons. Wide-field PhotoEmission Electron Microscopy (PEEM) has proved itself a fast imaging method providing large p-n contrast and the prospect of high-level resolution.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F04%2F0281" target="_blank" >GA202/04/0281: Mapování lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů při vysokém prostorovém rozlišení</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

100

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—