Profiling of N-type dopants in silicon structures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F09%3A00335261" target="_blank" >RIV/68081731:_____/09:00335261 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Profiling of N-type dopants in silicon structures

Popis výsledku v původním jazyce

Among the dopant profiling techniques the scanning electron microscopy (SEM) reached position of a well established method which offers a high spatial resolution and good sensitivity to dopant concentration. Differently doped areas exhibit a contrast depending on the dopant level and surface conditions. Photoemission electron microscopy (PEEM) is a surface-sensitive alternative providing a high sensitivity to the dopant density. Both methods have already been successfully applied in imaging and characterization of the doped silicon structures.

Název v anglickém jazyce

Profiling of N-type dopants in silicon structures

Popis výsledku anglicky

Among the dopant profiling techniques the scanning electron microscopy (SEM) reached position of a well established method which offers a high spatial resolution and good sensitivity to dopant concentration. Differently doped areas exhibit a contrast depending on the dopant level and surface conditions. Photoemission electron microscopy (PEEM) is a surface-sensitive alternative providing a high sensitivity to the dopant density. Both methods have already been successfully applied in imaging and characterization of the doped silicon structures.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

MC 2009 - Microscopy Conference: First Joint Meeting of Dreiländertagung and Multinational Conference on Microscopy

ISBN

978-3-85125-062-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Název nakladatele

Verlag der Technischen Universität

Místo vydání

Graz

Místo konání akce

Graz

Datum konání akce

30. 8. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—