Secondary electron contrast in doped semiconductor with presence of a surface ad-layer

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F09%3A00335263" target="_blank" >RIV/68081731:_____/09:00335263 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Secondary electron contrast in doped semiconductor with presence of a surface ad-layer

Popis výsledku v původním jazyce

The scanning electron microscopy (SEM) has proven itself efficient for determining dopant concentrations in semiconductors. Image contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Multiple studies have revealed quantitative relations between the image contrast and dopant concentration. However, further examination shows the dopant contrast level of low reproducibility and dependent on additional factors like the primary electron dose, varying energy and angular distributions of the SE emission and also presence of an ad-layer on the semiconductor surface.

Název v anglickém jazyce

Secondary electron contrast in doped semiconductor with presence of a surface ad-layer

Popis výsledku anglicky

The scanning electron microscopy (SEM) has proven itself efficient for determining dopant concentrations in semiconductors. Image contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Multiple studies have revealed quantitative relations between the image contrast and dopant concentration. However, further examination shows the dopant contrast level of low reproducibility and dependent on additional factors like the primary electron dose, varying energy and angular distributions of the SE emission and also presence of an ad-layer on the semiconductor surface.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

MC 2009 - Microscopy Conference: First Joint Meeting of Dreiländertagung and Multinational Conference on Microscopy

ISBN

978-3-85125-062-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Název nakladatele

Verlag der Technischen Universität

Místo vydání

Graz

Místo konání akce

Graz

Datum konání akce

30. 8. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—