Imaging of dopants under presence of surface ad-layers

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F10%3A00350664" target="_blank" >RIV/68081731:_____/10:00350664 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Imaging of dopants under presence of surface ad-layers

Popis výsledku v původním jazyce

Scanning electron microscopy is widely used for imaging of semiconductor structures. Image contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Quantitative relation exists between the image contrast and the dopant concentration. However, further examination has shown the dopant contrast level of low reproducibility and dependent on additional factors like the primary electron dose, varying energy and angular distributions of the SE emission and also presence of ad-layers on the semiconductor surface.

Název v anglickém jazyce

Imaging of dopants under presence of surface ad-layers

Popis výsledku anglicky

Scanning electron microscopy is widely used for imaging of semiconductor structures. Image contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Quantitative relation exists between the image contrast and the dopant concentration. However, further examination has shown the dopant contrast level of low reproducibility and dependent on additional factors like the primary electron dose, varying energy and angular distributions of the SE emission and also presence of ad-layers on the semiconductor surface.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GP102%2F09%2FP543" target="_blank" >GP102/09/P543: Výzkum kontrastu v dopovaných polovodičích v nízkoenergiovém rastrovacím elektronovém mikroskopu s mezními parametry</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 12th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation

ISBN

978-80-254-6842-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Název nakladatele

Institute of Scientific Instruments AS CR, v.v.i

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Skalský dvůr

Datum konání akce

31. 5. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—