Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Possibilites of a secondary electrons bandpass filter for standard SEM

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F18%3A00494367" target="_blank" >RIV/68081731:_____/18:00494367 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Possibilites of a secondary electrons bandpass filter for standard SEM

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Secondary electron filtering in Scanning Electron Microscope (SEM) has been in use for overna decade. This technique uncovers interesting contrasts in an otherwise ordinary SEM imagenwhich can possibly be used for dopant concentration mapping or for discerning the slight molecular weight differences in apparently homogeneous organic materials. Secondarynelectron filtering of semiconductor samples seems very promising as it may shed light on the mechanism of SEM image contrast between p-doped and n-doped semiconductors, possiblynallowing to determine dopant concentration from SEM image alone.

  • Název v anglickém jazyce

    Possibilites of a secondary electrons bandpass filter for standard SEM

  • Popis výsledku anglicky

    Secondary electron filtering in Scanning Electron Microscope (SEM) has been in use for overna decade. This technique uncovers interesting contrasts in an otherwise ordinary SEM imagenwhich can possibly be used for dopant concentration mapping or for discerning the slight molecular weight differences in apparently homogeneous organic materials. Secondarynelectron filtering of semiconductor samples seems very promising as it may shed light on the mechanism of SEM image contrast between p-doped and n-doped semiconductors, possiblynallowing to determine dopant concentration from SEM image alone.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20506 - Coating and films

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation. Proceedings of the 16th International Seminar

  • ISBN

    978-80-87441-23-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    46-47

  • Název nakladatele

    Institute of Scientific Instruments The Czech Academy of Sciences

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Skalský dvůr

  • Datum konání akce

    4. 6. 2018

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000450591400017