Tvorba dvourozměrných profilů dopantu s níkoenergiovým SEM
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F08%3A00308202" target="_blank" >RIV/68081731:_____/08:00308202 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Two-dimensional dopant profiling with low energy SEM
Popis výsledku v původním jazyce
The scanning electron microscope has proven itself efficient for determining dopant concentrations in semiconductors. Contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Multiple studies have revealed quantitative relations between the image contrast and dopant concentration. However, intimate examination shows a low reproducibility of the contrast level for a particular local difference between the doping rates. Data about dynamic behaviour of the dopant contrastand its dependence on the status of the sample surface are presented.
Název v anglickém jazyce
Two-dimensional dopant profiling with low energy SEM
Popis výsledku anglicky
The scanning electron microscope has proven itself efficient for determining dopant concentrations in semiconductors. Contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Multiple studies have revealed quantitative relations between the image contrast and dopant concentration. However, intimate examination shows a low reproducibility of the contrast level for a particular local difference between the doping rates. Data about dynamic behaviour of the dopant contrastand its dependence on the status of the sample surface are presented.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F05%2F2327" target="_blank" >GA102/05/2327: Přímé zobrazení rozložení dopantů v polovodiči pomocí pomalých elektronů</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Microscopy
ISSN
0022-2720
e-ISSN
—
Svazek periodika
230
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
76-83
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—