Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Tvorba dvourozměrných profilů dopantu s níkoenergiovým SEM

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F08%3A00308202" target="_blank" >RIV/68081731:_____/08:00308202 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Two-dimensional dopant profiling with low energy SEM

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The scanning electron microscope has proven itself efficient for determining dopant concentrations in semiconductors. Contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Multiple studies have revealed quantitative relations between the image contrast and dopant concentration. However, intimate examination shows a low reproducibility of the contrast level for a particular local difference between the doping rates. Data about dynamic behaviour of the dopant contrastand its dependence on the status of the sample surface are presented.

  • Název v anglickém jazyce

    Two-dimensional dopant profiling with low energy SEM

  • Popis výsledku anglicky

    The scanning electron microscope has proven itself efficient for determining dopant concentrations in semiconductors. Contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Multiple studies have revealed quantitative relations between the image contrast and dopant concentration. However, intimate examination shows a low reproducibility of the contrast level for a particular local difference between the doping rates. Data about dynamic behaviour of the dopant contrastand its dependence on the status of the sample surface are presented.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F05%2F2327" target="_blank" >GA102/05/2327: Přímé zobrazení rozložení dopantů v polovodiči pomocí pomalých elektronů</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Microscopy

  • ISSN

    0022-2720

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    230

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    76-83

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus