Mapování dopantů v polovodičích: studium pomocí PEEM

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F05%3A00022411" target="_blank" >RIV/68081731:_____/05:00022411 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Mapping of Dopants in Semiconductors: The PEEM Study

Popis výsledku v původním jazyce

High resolution imaging of doped areas in semiconductors with slow electrons is one of hot topics for both solid state physics and technology. Recent study employing the scanning low energy electron microscope demonstrated a high image contrast of dopants but only low attention has been devoted to the photoemission electron-microscopic (PEEM) imaging of these structures. Previous works ascribed the crucial role to local differences in the photoemission threshold while the present study claims the contrast more likely coming from local differences in absorption of hot electrons due to pair generation.

Název v anglickém jazyce

Mapping of Dopants in Semiconductors: The PEEM Study

Popis výsledku anglicky

High resolution imaging of doped areas in semiconductors with slow electrons is one of hot topics for both solid state physics and technology. Recent study employing the scanning low energy electron microscope demonstrated a high image contrast of dopants but only low attention has been devoted to the photoemission electron-microscopic (PEEM) imaging of these structures. Previous works ascribed the crucial role to local differences in the photoemission threshold while the present study claims the contrast more likely coming from local differences in absorption of hot electrons due to pair generation.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F04%2F0281" target="_blank" >GA202/04/0281: Mapování lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů při vysokém prostorovém rozlišení</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings - Microscopy Conference 2005 - Dreiländertagung /6./

ISBN

1019-6447

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

321

Název nakladatele

Paul Scherrer Institute

Místo vydání

Villigen

Místo konání akce

Davos

Datum konání akce

28. 8. 2005

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—