Kontrast dopantu ? otázka pro elektronovou mikroskopii
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F06%3A00049009" target="_blank" >RIV/68081731:_____/06:00049009 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The Dopant Contrast ? A Challenge to Electron Microscopy
Popis výsledku v původním jazyce
Results obtained when imaging doped areas in silicon by means of various electron microscopical methods are reviewed. These include secondary electron imaging in the conventional SEM and SEM equipped with the cathode lens, imaging with very slow backscattered electrons by means of the cathode lens, and imaging in a photoelectron emission microscope. It is suggested that important role in the contrast formation plays local differences in the absorption of excited hot electrons on their trajectories toward surface.
Název v anglickém jazyce
The Dopant Contrast ? A Challenge to Electron Microscopy
Popis výsledku anglicky
Results obtained when imaging doped areas in silicon by means of various electron microscopical methods are reviewed. These include secondary electron imaging in the conventional SEM and SEM equipped with the cathode lens, imaging with very slow backscattered electrons by means of the cathode lens, and imaging in a photoelectron emission microscope. It is suggested that important role in the contrast formation plays local differences in the absorption of excited hot electrons on their trajectories toward surface.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA202%2F04%2F0281" target="_blank" >GA202/04/0281: Mapování lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů při vysokém prostorovém rozlišení</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 10th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation
ISBN
80-239-6285-X
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
19-22
Název nakladatele
ISI AS CR
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Skalský dvůr
Datum konání akce
22. 5. 2006
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—