Effect of sample tilt on PEEM resolution
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F12%3A00385323" target="_blank" >RIV/68081731:_____/12:00385323 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.ultramic.2011.11.011" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.ultramic.2011.11.011</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.ultramic.2011.11.011" target="_blank" >10.1016/j.ultramic.2011.11.011</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Effect of sample tilt on PEEM resolution
Popis výsledku v původním jazyce
In electron microscopy design, the systems are usually assumed to be perfectly aligned or that possible small imperfections can be eliminated by simple multipole correctors (centering deflectors, stigmators) without loss of resolution. However, in some cases, like in the cathode lens between the sample and the objective lens in the photoemission electron microscope, even a small imperfection can impair the resolution significantly. Because of the strong field between the sample and the objective lens, even a small tilt of the sample generates a parasitic dipole field, which decreases resolution and causes image deformations. We present a simulation of the influence of a small sample tilt on the system resolution based on modern computational methods that enable simulation of the whole system including the parasitic fields, proper setting of centering deflectors and stigmators. The resolution is determined by simulating the point spread function and finding the size of its significant p
Název v anglickém jazyce
Effect of sample tilt on PEEM resolution
Popis výsledku anglicky
In electron microscopy design, the systems are usually assumed to be perfectly aligned or that possible small imperfections can be eliminated by simple multipole correctors (centering deflectors, stigmators) without loss of resolution. However, in some cases, like in the cathode lens between the sample and the objective lens in the photoemission electron microscope, even a small imperfection can impair the resolution significantly. Because of the strong field between the sample and the objective lens, even a small tilt of the sample generates a parasitic dipole field, which decreases resolution and causes image deformations. We present a simulation of the influence of a small sample tilt on the system resolution based on modern computational methods that enable simulation of the whole system including the parasitic fields, proper setting of centering deflectors and stigmators. The resolution is determined by simulating the point spread function and finding the size of its significant p
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/IAA100650805" target="_blank" >IAA100650805: Vady seřízení elektronově optických systémů</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Ultramicroscopy
ISSN
0304-3991
e-ISSN
—
Svazek periodika
119
Číslo periodika v rámci svazku
S1
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
45-50
Kód UT WoS článku
000308079200008
EID výsledku v databázi Scopus
—