Thermal-field electron emission W(100)/ZrO cathode: facets versus edges
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F12%3A00386389" target="_blank" >RIV/68081731:_____/12:00386389 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Thermal-field electron emission W(100)/ZrO cathode: facets versus edges
Popis výsledku v původním jazyce
The tungsten cathode in the thermal-field emission (TFE) regime can achieve significantly higher angular current density in comparison with the Schottky cathode. The Schottky emission regime is located between the thermal emission regime and the cold field emission regime. The typical operation electric field is 0,1 - I V/nm and tip radius varies from 0.3 to 1.0 im . The thermal-field regime is located between the Schottky regime and the cold field emission regime. In the cold field emission regime theelectron tunnelling is a dominant mechanism due to the electric field higher than 1 V/nm. The TFE is a combination of the field supported thermal emission and the field emission under the higher electric field. The radius of the thermal-field emitter should be lower in comparison with the Schottky emitter.
Název v anglickém jazyce
Thermal-field electron emission W(100)/ZrO cathode: facets versus edges
Popis výsledku anglicky
The tungsten cathode in the thermal-field emission (TFE) regime can achieve significantly higher angular current density in comparison with the Schottky cathode. The Schottky emission regime is located between the thermal emission regime and the cold field emission regime. The typical operation electric field is 0,1 - I V/nm and tip radius varies from 0.3 to 1.0 im . The thermal-field regime is located between the Schottky regime and the cold field emission regime. In the cold field emission regime theelectron tunnelling is a dominant mechanism due to the electric field higher than 1 V/nm. The TFE is a combination of the field supported thermal emission and the field emission under the higher electric field. The radius of the thermal-field emitter should be lower in comparison with the Schottky emitter.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ED0017%2F01%2F01" target="_blank" >ED0017/01/01: APLIKACNÍ A VÝVOJOVÉ LABORATORE POKROCILÝCH MIKROTECHNOLOGIÍ A NANOTECHNOLOGIÍ</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 13th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation
ISBN
978-80-87441-07-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
27-28
Název nakladatele
Institute of Scientific Instruments AS CR, v.v.i
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Skalský dvůr
Datum konání akce
25. 6. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—