Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Thermal-field electron emission W(100)/ZrO cathode: facets versus edges

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F12%3A00386389" target="_blank" >RIV/68081731:_____/12:00386389 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Thermal-field electron emission W(100)/ZrO cathode: facets versus edges

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The tungsten cathode in the thermal-field emission (TFE) regime can achieve significantly higher angular current density in comparison with the Schottky cathode. The Schottky emission regime is located between the thermal emission regime and the cold field emission regime. The typical operation electric field is 0,1 - I V/nm and tip radius varies from 0.3 to 1.0 im . The thermal-field regime is located between the Schottky regime and the cold field emission regime. In the cold field emission regime theelectron tunnelling is a dominant mechanism due to the electric field higher than 1 V/nm. The TFE is a combination of the field supported thermal emission and the field emission under the higher electric field. The radius of the thermal-field emitter should be lower in comparison with the Schottky emitter.

  • Název v anglickém jazyce

    Thermal-field electron emission W(100)/ZrO cathode: facets versus edges

  • Popis výsledku anglicky

    The tungsten cathode in the thermal-field emission (TFE) regime can achieve significantly higher angular current density in comparison with the Schottky cathode. The Schottky emission regime is located between the thermal emission regime and the cold field emission regime. The typical operation electric field is 0,1 - I V/nm and tip radius varies from 0.3 to 1.0 im . The thermal-field regime is located between the Schottky regime and the cold field emission regime. In the cold field emission regime theelectron tunnelling is a dominant mechanism due to the electric field higher than 1 V/nm. The TFE is a combination of the field supported thermal emission and the field emission under the higher electric field. The radius of the thermal-field emitter should be lower in comparison with the Schottky emitter.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/ED0017%2F01%2F01" target="_blank" >ED0017/01/01: APLIKACNÍ A VÝVOJOVÉ LABORATORE POKROCILÝCH MIKROTECHNOLOGIÍ A NANOTECHNOLOGIÍ</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of the 13th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation

  • ISBN

    978-80-87441-07-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    2

  • Strana od-do

    27-28

  • Název nakladatele

    Institute of Scientific Instruments AS CR, v.v.i

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Skalský dvůr

  • Datum konání akce

    25. 6. 2012

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku