Thermal-field electron emission W(100)/ZrO cathode: facets versus edges

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F12%3A00386389" target="_blank" >RIV/68081731:_____/12:00386389 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Thermal-field electron emission W(100)/ZrO cathode: facets versus edges

Popis výsledku v původním jazyce

The tungsten cathode in the thermal-field emission (TFE) regime can achieve significantly higher angular current density in comparison with the Schottky cathode. The Schottky emission regime is located between the thermal emission regime and the cold field emission regime. The typical operation electric field is 0,1 - I V/nm and tip radius varies from 0.3 to 1.0 im . The thermal-field regime is located between the Schottky regime and the cold field emission regime. In the cold field emission regime theelectron tunnelling is a dominant mechanism due to the electric field higher than 1 V/nm. The TFE is a combination of the field supported thermal emission and the field emission under the higher electric field. The radius of the thermal-field emitter should be lower in comparison with the Schottky emitter.

Název v anglickém jazyce

Thermal-field electron emission W(100)/ZrO cathode: facets versus edges

Popis výsledku anglicky

The tungsten cathode in the thermal-field emission (TFE) regime can achieve significantly higher angular current density in comparison with the Schottky cathode. The Schottky emission regime is located between the thermal emission regime and the cold field emission regime. The typical operation electric field is 0,1 - I V/nm and tip radius varies from 0.3 to 1.0 im . The thermal-field regime is located between the Schottky regime and the cold field emission regime. In the cold field emission regime theelectron tunnelling is a dominant mechanism due to the electric field higher than 1 V/nm. The TFE is a combination of the field supported thermal emission and the field emission under the higher electric field. The radius of the thermal-field emitter should be lower in comparison with the Schottky emitter.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ED0017%2F01%2F01" target="_blank" >ED0017/01/01: APLIKACNÍ A VÝVOJOVÉ LABORATORE POKROCILÝCH MIKROTECHNOLOGIÍ A NANOTECHNOLOGIÍ</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 13th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation

ISBN

978-80-87441-07-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

27-28

Název nakladatele

Institute of Scientific Instruments AS CR, v.v.i

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Skalský dvůr

Datum konání akce

25. 6. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—