Patterning of conductive nano-layers on garnet
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F21%3A00543745" target="_blank" >RIV/68081731:_____/21:00543745 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://www.confer.cz/nanocon/2020/3731-patterning-of-conductive-nano-layer-on-garnet" target="_blank" >https://www.confer.cz/nanocon/2020/3731-patterning-of-conductive-nano-layer-on-garnet</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.37904/nanocon.2020.3731" target="_blank" >10.37904/nanocon.2020.3731</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Patterning of conductive nano-layers on garnet
Popis výsledku v původním jazyce
Synthetic crystalline materials of the garnet group are used as scintillators in scanning electron microscopy. If a thick conductive layer is applied on the garnet surface, slower electrons don't have enough energy to pass through this relatively thick conductive layer on the scintillator surface. Therefore, either thinner conductive layer or appropriate patterning of the thicker layer has to be used. Within this contribution we study the patterning process of such conductive nano-layer. Resolution of the patterning process is of high interest. Two approaches are compared: direct writing electron beam lithography and mask projection UV lithography.
Název v anglickém jazyce
Patterning of conductive nano-layers on garnet
Popis výsledku anglicky
Synthetic crystalline materials of the garnet group are used as scintillators in scanning electron microscopy. If a thick conductive layer is applied on the garnet surface, slower electrons don't have enough energy to pass through this relatively thick conductive layer on the scintillator surface. Therefore, either thinner conductive layer or appropriate patterning of the thicker layer has to be used. Within this contribution we study the patterning process of such conductive nano-layer. Resolution of the patterning process is of high interest. Two approaches are compared: direct writing electron beam lithography and mask projection UV lithography.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/TN01000008" target="_blank" >TN01000008: Centrum elektronové a fotonové optiky</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
NANOCON 2020. 12th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Conference proceedings
ISBN
978-80-87294-98-7
ISSN
2694-930X
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
(2021)
Název nakladatele
TANGER
Místo vydání
Ostrava
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
21. 10. 2020
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000664505500037