Si3Nx fázová destička pokrytá vodivou vrstvou

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F22%3A00566394" target="_blank" >RIV/68081731:_____/22:00566394 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Si3Nx fázová destička pokrytá vodivou vrstvou

Popis výsledku v původním jazyce

Fázová destička z nitridu křemíku slouží ke změně fáze procházejících vysokoenergetických elektronů. Nosným substrátem tenké membrány je křemíkový čip. Membrána je pokrytá tenkou vodivou molybdenovou vrstvou jejíž tloušťka je optimalizovaná pro výsledný fázový posuv pi/2. Ve středu membrány je vytvořený otvor pomoci technologie FIB/SEM, tak abychom zajistili, že nulový difrakční řád projde fázovou destičkou bez změny fáze. Součástí funkčního vzorku je modifikovaný držák apertur, který umožní umístění fázové destičky do zadní ohniskové roviny bez podpůrné platinové slonky.

Název v anglickém jazyce

Si3Nx phase plates covered by conductive layer

Popis výsledku anglicky

Silicon nitride phase plate serves as a phase shift element for high-energy electrons. Silicon is a supporting substrate for a thin membrane, which is covered by a thin molybdenum layer with thickness optimized so that the final phase shift of the phase plate is pi/2. We made a micrometer size hole in the middle of the membrane with FIB/SEM technology to guarantee that the phase of zero-order diffraction is not changed. The functional sample also covers the modified aperture holder, which enables placing the phase plate to the back-focal plane of the transmission electron microscope without the supporting aperture.

Druh

G_funk - Funkční vzorek

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/TN01000008" target="_blank" >TN01000008: Centrum elektronové a fotonové optiky</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2022

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Interní identifikační kód produktu

APL-2022-15

Číselná identifikace

APL-2022-15

Technické parametry

Křemíkový čip nesoucí tenkou nitridovou membránu, která je pokrytá tenkou vodivou molybdenovou vrstvou. Otvor membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Z membrány je vytvořena fázová destička tím, že je v jejím středu udělaný otvor optimalizovaných rozměrů pomoci technologie fokusovaného iontového svazku. Tloušťka molybdenové vrstvy je optimalizovaná pro výsledný fázový posuv pi/2. Součástí funkčního vzorku je modifikovaný držák apertur, který umožňuje její umístění do zadní ohniskové roviny transmisního elektronového mikroskopu.

Ekonomické parametry

Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Mgr. Tomáš Radlička, Ph.D.

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

68081731

Název vlastníka

Ústav přístrojové techniky, v. v. i., ThermoFisher Scientific Brno, a.s.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

V - Výsledek je využíván vlastníkem

Požadavek na licenční poplatek

—

Adresa www stránky s výsledkem

—