Single Column Multiple Electron Beam Imaging from N-type Silicon

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F24%3A00617510" target="_blank" >RIV/68081731:_____/24:00617510 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/10652470" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/10652470</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/IVNC63480.2024.10652470" target="_blank" >10.1109/IVNC63480.2024.10652470</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Single Column Multiple Electron Beam Imaging from N-type Silicon

Popis výsledku v původním jazyce

This work is aimed at measuring the electron emission from multiple cathodes formed by n-doped silicon and imaging the electron beams focused by an einzel lens on a CMOS camera. The experimental results are compared with computer simulation to understand the electron emission from the semiconductor cathode and the observed imaging imperfections. Finally, modifications to the experimental setup are suggested that should lead to improvement in the extraction current and spot size of focused electron beams and also better understanding of the processes taking place in the experiment.

Název v anglickém jazyce

Single Column Multiple Electron Beam Imaging from N-type Silicon

Popis výsledku anglicky

This work is aimed at measuring the electron emission from multiple cathodes formed by n-doped silicon and imaging the electron beams focused by an einzel lens on a CMOS camera. The experimental results are compared with computer simulation to understand the electron emission from the semiconductor cathode and the observed imaging imperfections. Finally, modifications to the experimental setup are suggested that should lead to improvement in the extraction current and spot size of focused electron beams and also better understanding of the processes taking place in the experiment.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2024

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

2024 37th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2024

ISBN

979-8-3503-7977-8

ISSN

2164-2370

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

148-149

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

15. 7. 2024

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

001310530600058