Carrier dynamics in low-temperature grown GaAs studied by terahertz emission spectroscopy.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F01%3A02010378" target="_blank" >RIV/68378271:_____/01:02010378 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Carrier dynamics in low-temperature grown GaAs studied by terahertz emission spectroscopy.

Popis výsledku v původním jazyce

Ultrafast dynamics of free carriers in low-temperature grown GaAs was studied using time-domain terahertz emission spectroscopy. The subpicosecond free-carrier lifetime was determined for a set of annealed samples with different growth temperatures (175-250 C), the carrier mobility was also estimated.

Název v anglickém jazyce

Carrier dynamics in low-temperature grown GaAs studied by terahertz emission spectroscopy.

Popis výsledku anglicky

Ultrafast dynamics of free carriers in low-temperature grown GaAs was studied using time-domain terahertz emission spectroscopy. The subpicosecond free-carrier lifetime was determined for a set of annealed samples with different growth temperatures (175-250 C), the carrier mobility was also estimated.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LN00A032" target="_blank" >LN00A032: Struktura a dynamika komplexních molekulových systémů a biomolekul</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

90

Číslo periodika v rámci svazku

3

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1303-1306

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—