Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Effect of Fe doping on the terahertz conductivity of GaN single crystals

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00354453" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00354453 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Effect of Fe doping on the terahertz conductivity of GaN single crystals

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Bulk single crystals of GaN with different degrees of Fe doping were studied using time-domain terahertz spectroscopy at high temperatures. Features due to free carriers were observed in the complex permittivity spectra with a pronounced dependence on both doping and temperature. Fitting the spectra using the Drude model made it possible to deduce a defect ionization energy of 16 meV in the undoped sample while the spectra of doped samples are consistent with an ionization energy of 60 meV. Also, the free carrier concentrations at temperatures from 300 to 900 K were estimated.

  • Název v anglickém jazyce

    Effect of Fe doping on the terahertz conductivity of GaN single crystals

  • Popis výsledku anglicky

    Bulk single crystals of GaN with different degrees of Fe doping were studied using time-domain terahertz spectroscopy at high temperatures. Features due to free carriers were observed in the complex permittivity spectra with a pronounced dependence on both doping and temperature. Fitting the spectra using the Drude model made it possible to deduce a defect ionization energy of 16 meV in the undoped sample while the spectra of doped samples are consistent with an ionization energy of 60 meV. Also, the free carrier concentrations at temperatures from 300 to 900 K were estimated.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Physics D-Applied Physics

  • ISSN

    0022-3727

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    43

  • Číslo periodika v rámci svazku

    14

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000275891300014

  • EID výsledku v databázi Scopus