Exciton localization in doped Si nanocrystals from single dot spectroscopy studies
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F12%3A10128536" target="_blank" >RIV/00216208:11320/12:10128536 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.86.075311" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.86.075311</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.86.075311" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.86.075311</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Exciton localization in doped Si nanocrystals from single dot spectroscopy studies
Popis výsledku v původním jazyce
The results of low-temperature photoluminescence characterization of single silicon nanocrystals prepared from highly doped silicon-on-insulatorwafers are presented. The effect of B, P, As, and Sb impurities on ensemble as well as individual emission spectra are determined by comparison with the line shapes of undoped nanocrystals. From the statistical analysis of the luminescence spectra, the donor ionization energies for nanocrystals emitting in the range of 1.5-2.0 eV are estimated to be 140-200 meV,while the exciton-impurity binding energy for As- and Sb-doped nanocrystals is found to be about 40-45 meV.
Název v anglickém jazyce
Exciton localization in doped Si nanocrystals from single dot spectroscopy studies
Popis výsledku anglicky
The results of low-temperature photoluminescence characterization of single silicon nanocrystals prepared from highly doped silicon-on-insulatorwafers are presented. The effect of B, P, As, and Sb impurities on ensemble as well as individual emission spectra are determined by comparison with the line shapes of undoped nanocrystals. From the statistical analysis of the luminescence spectra, the donor ionization energies for nanocrystals emitting in the range of 1.5-2.0 eV are estimated to be 140-200 meV,while the exciton-impurity binding energy for As- and Sb-doped nanocrystals is found to be about 40-45 meV.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
ISSN
1098-0121
e-ISSN
—
Svazek periodika
86
Číslo periodika v rámci svazku
7
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000307720300003
EID výsledku v databázi Scopus
—