Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Energy transfer channel between silicon nanocrystals and an optical center emitting above their bandgap

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00521380" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00521380 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216208:11320/19:10405440

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2019.116685" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2019.116685</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2019.116685" target="_blank" >10.1016/j.jlumin.2019.116685</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Energy transfer channel between silicon nanocrystals and an optical center emitting above their bandgap

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This paper reports on the observation of an electronic energy transfer channel between silicon nanocrystals and the SiO2 matrix they are embedded in. This energy transfer manifests itself by photoluminescence at 650 nm, i.e. above the indirect band gap, in superlattices formed by alternating layers of P- or B-doped as well as undoped silicon nanocrystals (NCs) and stoichiometric SiO2 or SiOxNy.

  • Název v anglickém jazyce

    Energy transfer channel between silicon nanocrystals and an optical center emitting above their bandgap

  • Popis výsledku anglicky

    This paper reports on the observation of an electronic energy transfer channel between silicon nanocrystals and the SiO2 matrix they are embedded in. This energy transfer manifests itself by photoluminescence at 650 nm, i.e. above the indirect band gap, in superlattices formed by alternating layers of P- or B-doped as well as undoped silicon nanocrystals (NCs) and stoichiometric SiO2 or SiOxNy.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Luminescence

  • ISSN

    0022-2313

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    215

  • Číslo periodika v rámci svazku

    Nov

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    1-5

  • Kód UT WoS článku

    000493401000072

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85071433016