Femtosecond luminescence spectroscopy of core states in silicon nanocrystals

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F10%3A10070217" target="_blank" >RIV/00216208:11320/10:10070217 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/10:00356926

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Femtosecond luminescence spectroscopy of core states in silicon nanocrystals

Popis výsledku v původním jazyce

We present a study of ultrafast carrier transfer from highly luminescent states inside the core of silicon nanocrystal (due to quasidirect transitions) to states on the nanocrystal-matrix interface. This transfer leads to a sub-picosecond luminescence decay, which is followed by a slower decay component induced by carrier relaxation to lower interface states. We investigate the luminescence dynamics for two different surface passivation types and we propose a general model describing spectral dependenceof ultrafast carrier dynamics. Our results stress the crucial role of the energy distribution of the interface states on surface-related quenching of quasidirect luminescence in silicon nanocrystals. We discuss how to avoid this quenching in order to bring the attractive properties of the quasidirect recombination closer to exploitation.

Název v anglickém jazyce

Femtosecond luminescence spectroscopy of core states in silicon nanocrystals

Popis výsledku anglicky

We present a study of ultrafast carrier transfer from highly luminescent states inside the core of silicon nanocrystal (due to quasidirect transitions) to states on the nanocrystal-matrix interface. This transfer leads to a sub-picosecond luminescence decay, which is followed by a slower decay component induced by carrier relaxation to lower interface states. We investigate the luminescence dynamics for two different surface passivation types and we propose a general model describing spectral dependenceof ultrafast carrier dynamics. Our results stress the crucial role of the energy distribution of the interface states on surface-related quenching of quasidirect luminescence in silicon nanocrystals. We discuss how to avoid this quenching in order to bring the attractive properties of the quasidirect recombination closer to exploitation.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Optics Express

ISSN

1094-4087

e-ISSN

—

Svazek periodika

18

Číslo periodika v rámci svazku

24

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000285586800097

EID výsledku v databázi Scopus

—