Thin amorphous chalcogenide films prepared by pulsed laser deposition.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F02%3A02020142" target="_blank" >RIV/68378271:_____/02:02020142 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216275:25310/02:00000087 RIV/00216275:25310/02:00000084
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Thin amorphous chalcogenide films prepared by pulsed laser deposition.
Popis výsledku v původním jazyce
The structure of Ge-Ga-Se thin films was studied by Raman spectroscopy, GeSe 4/2 tetrahedra, edge-sharing Ge 2 Se 8/2 bi-tetrahedra, some Ge-Ge and Ge-Ga or Ga-Ga as well as Se-Se structural units were revealed.
Název v anglickém jazyce
Thin amorphous chalcogenide films prepared by pulsed laser deposition.
Popis výsledku anglicky
The structure of Ge-Ga-Se thin films was studied by Raman spectroscopy, GeSe 4/2 tetrahedra, edge-sharing Ge 2 Se 8/2 bi-tetrahedra, some Ge-Ge and Ge-Ga or Ga-Ga as well as Se-Se structural units were revealed.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)