Defect creation under UV irradiation of CsI:Pb crystals in Pb 2+ -induced absorption bands investigated by luminescence methods.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F02%3A02020232" target="_blank" >RIV/68378271:_____/02:02020232 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Defect creation under UV irradiation of CsI:Pb crystals in Pb 2+ -induced absorption bands investigated by luminescence methods.
Popis výsledku v původním jazyce
The creation of defects in CsI:Pb crystals by ultraviolet radiation at 4.2K has been investigated by thermally stimulated and optically stimulated luminescence methods. The dependences of the defect creation efficiency on the irradiation energy and time,on the uniaxial stress, and on the concentration of the impurity (Pb 2+ and Na + ) ions have been found.
Název v anglickém jazyce
Defect creation under UV irradiation of CsI:Pb crystals in Pb 2+ -induced absorption bands investigated by luminescence methods.
Popis výsledku anglicky
The creation of defects in CsI:Pb crystals by ultraviolet radiation at 4.2K has been investigated by thermally stimulated and optically stimulated luminescence methods. The dependences of the defect creation efficiency on the irradiation energy and time,on the uniaxial stress, and on the concentration of the impurity (Pb 2+ and Na + ) ions have been found.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)