Technologie slunečních článků na bázi tenkých křemíkových vrstev

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00100472" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00100472 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Thin-film silicon solar cell technology

Popis výsledku v původním jazyce

This paper describes the use, within p-i-n-and n-i-p-type solar cells, of hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) and hydrogenated microcrystalline silicon (?c:H) thin films (layers), both deposited at low temperatures (200oC) by plasma-assisted chemicalvapour deposition (PECVD), from a mixture of silane and hydrogen

Název v anglickém jazyce

Thin-film silicon solar cell technology

Popis výsledku anglicky

This paper describes the use, within p-i-n-and n-i-p-type solar cells, of hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) and hydrogenated microcrystalline silicon (?c:H) thin films (layers), both deposited at low temperatures (200oC) by plasma-assisted chemicalvapour deposition (PECVD), from a mixture of silane and hydrogen

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/SN%2F320%2F11%2F03" target="_blank" >SN/320/11/03: Výzkum a pilotní projekt využití fotovoltaických modulů pro přímou integraci do budov.</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Progress in Photovoltaics

ISSN

1062-7995

e-ISSN

—

Svazek periodika

12

Číslo periodika v rámci svazku

-

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

30

Strana od-do

113-142

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—