Iontově citlivé polní transistory na hydrogenovaném diamantu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00041115" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00041115 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Ion-sensitive field effect transistor on hydrogenated diamond

Popis výsledku v původním jazyce

Ion-sensitive field effect transistors fabricated on intrinsic hydrogen-terminated diamond films exhibit pronounced pH sensitivity (-56 mV/pH). Conductivity of the transistor channel decreases with increasing pH, in agreement with transfer doping model.

Název v anglickém jazyce

Ion-sensitive field effect transistor on hydrogenated diamond

Popis výsledku anglicky

Ion-sensitive field effect transistors fabricated on intrinsic hydrogen-terminated diamond films exhibit pronounced pH sensitivity (-56 mV/pH). Conductivity of the transistor channel decreases with increasing pH, in agreement with transfer doping model.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Diamond and Related Materials

ISSN

0925-9635

e-ISSN

—

Svazek periodika

15

Číslo periodika v rámci svazku

-

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

673-677

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—