Real-time monitoring of cell activities by diamond solution-gated field effect transistors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00470495" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00470495 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21110/16:00307349 RIV/68407700:21230/16:00307349

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.proeng.2016.11.130" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.proeng.2016.11.130</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.proeng.2016.11.130" target="_blank" >10.1016/j.proeng.2016.11.130</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Real-time monitoring of cell activities by diamond solution-gated field effect transistors

Popis výsledku v původním jazyce

In this study, we present basic aspects for real-time monitoring of cell growth of human cell lines. We successfully fabricated fully optically transparent diamond-based solution-gated field effect transistor (SG-FET) on glass substrates. The diamond transistor functionalities are demonstrated by the sensitivity of electrical characteristics to solutions with different Na+ and K+ ion concentrations, and pH. Moreover, the diamond SG-FETs exhibited sensitivities to the adhesion of proteins and cells, to the cell delamination, or even to the cell death.n

Název v anglickém jazyce

Real-time monitoring of cell activities by diamond solution-gated field effect transistors

Popis výsledku anglicky

In this study, we present basic aspects for real-time monitoring of cell growth of human cell lines. We successfully fabricated fully optically transparent diamond-based solution-gated field effect transistor (SG-FET) on glass substrates. The diamond transistor functionalities are demonstrated by the sensitivity of electrical characteristics to solutions with different Na+ and K+ ion concentrations, and pH. Moreover, the diamond SG-FETs exhibited sensitivities to the adhesion of proteins and cells, to the cell delamination, or even to the cell death.n

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GBP108%2F12%2FG108" target="_blank" >GBP108/12/G108: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů zářením</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Procedia Engineering, Vol. 168

ISBN

—

ISSN

1877-7058

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

469-472

Název nakladatele

Elsevier

Místo vydání

Amsterdam

Místo konání akce

Budapest

Datum konání akce

4. 9. 2016

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—