Sensitivity of encapsulated diamond-protein transistor renewed by low temperature hydrogen plasma

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00392280" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00392280 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21340/13:00211850

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Sensitivity of encapsulated diamond-protein transistor renewed by low temperature hydrogen plasma

Popis výsledku v původním jazyce

We study effects of low temperature hydrogen plasma treatment (200 ? 300 °C) done in two different microwave plasma reactors (linear and focused plasma) on functionality of diamond solution-gated field-effect transistors (FET) covered with various encapsulation (ma-P, OFPR, SU8, Si3N4) and with proteins adsorbed on the gate. Three-dimensional transistor microstructures (20 ?m) are made of nanocrystalline hydrogen terminated intrinsic diamond that is grown on Si/SiO2 substrates by selective seeding and microwave plasma CVD growth. The hydrogen-plasma treatment in linear plasma system at 200 °C removes the proteins from the gate as evidenced by atomic force microscopy, keeps the FET fully operational, and renews solution-gated FET sensitivity to proteinadsorption (unlike rinsing in solutions) as evidenced by reproducible shift of transfer characteristics by -30 mV.

Název v anglickém jazyce

Sensitivity of encapsulated diamond-protein transistor renewed by low temperature hydrogen plasma

Popis výsledku anglicky

We study effects of low temperature hydrogen plasma treatment (200 ? 300 °C) done in two different microwave plasma reactors (linear and focused plasma) on functionality of diamond solution-gated field-effect transistors (FET) covered with various encapsulation (ma-P, OFPR, SU8, Si3N4) and with proteins adsorbed on the gate. Three-dimensional transistor microstructures (20 ?m) are made of nanocrystalline hydrogen terminated intrinsic diamond that is grown on Si/SiO2 substrates by selective seeding and microwave plasma CVD growth. The hydrogen-plasma treatment in linear plasma system at 200 °C removes the proteins from the gate as evidenced by atomic force microscopy, keeps the FET fully operational, and renews solution-gated FET sensitivity to proteinadsorption (unlike rinsing in solutions) as evidenced by reproducible shift of transfer characteristics by -30 mV.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

International Journal of Electrochemical Science

ISSN

1452-3981

e-ISSN

—

Svazek periodika

8

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

CS - Srbsko a Černá Hora

Počet stran výsledku

12

Strana od-do

1598-1608

Kód UT WoS článku

000316565800005

EID výsledku v databázi Scopus

—