Etching effects of low temperature hydrogen plasma on encapsulated diamond transistors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00390080" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00390080 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Etching effects of low temperature hydrogen plasma on encapsulated diamond transistors
Popis výsledku v původním jazyce
We study etching effects of low temperature hydrogen plasma treatment (200?300 $C) in two different microwave plasma reactors (linear and focused plasma) on diamond solutiongated field-effect transistors with various polymers for encapsulation (MA-P, OFPR, SU8). Three-dimensional transistor microstructures (20 ?m) are grown from nanocrystalline H-terminated intrinsic diamond byMW-CVD on Si/SiO2 substrates.
Název v anglickém jazyce
Etching effects of low temperature hydrogen plasma on encapsulated diamond transistors
Popis výsledku anglicky
We study etching effects of low temperature hydrogen plasma treatment (200?300 $C) in two different microwave plasma reactors (linear and focused plasma) on diamond solutiongated field-effect transistors with various polymers for encapsulation (MA-P, OFPR, SU8). Three-dimensional transistor microstructures (20 ?m) are grown from nanocrystalline H-terminated intrinsic diamond byMW-CVD on Si/SiO2 substrates.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Acta Universitatis Carolinae. Mathematica et Physica
ISSN
0001-7140
e-ISSN
—
Svazek periodika
53
Číslo periodika v rámci svazku
2
Stát vydavatele periodika
CZ - Česká republika
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
97-103
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—