Etching Effects of Low Temperature Hydrogen Plasma on Encapsulated Diamond Transistors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F12%3A00200580" target="_blank" >RIV/68407700:21340/12:00200580 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Etching Effects of Low Temperature Hydrogen Plasma on Encapsulated Diamond Transistors

Popis výsledku v původním jazyce

We study etching effects of low temperature hydrogen plasma treatment (200-300°C) in two different microwave plasma reactors (linear and focused plasma) on diamond solution-gated field-effect transistors with various polymers for encapsulation (MA-P, OFPR, SU8). Three-dimensional transistor microstructures (20um) are grown from nanocrystalline H-terminated intrinsic diamond by MW-CVD on Si/SiO2 substrates.

Název v anglickém jazyce

Etching Effects of Low Temperature Hydrogen Plasma on Encapsulated Diamond Transistors

Popis výsledku anglicky

We study etching effects of low temperature hydrogen plasma treatment (200-300°C) in two different microwave plasma reactors (linear and focused plasma) on diamond solution-gated field-effect transistors with various polymers for encapsulation (MA-P, OFPR, SU8). Three-dimensional transistor microstructures (20um) are grown from nanocrystalline H-terminated intrinsic diamond by MW-CVD on Si/SiO2 substrates.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů