Vliv tlaku a poteciálu plasmatu na rychlost růstu mikrokrystalického křemíku, připraveného ve vysokofrekvenčním plasmatu
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00041425" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00041425 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Influence of pressure and plasma potential on high growth rate microcrystalline silicon grown by very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition
Popis výsledku v původním jazyce
Microcrystalline silicon solar cells were deposited by very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition and influence of pressure and plasma potential was examined
Název v anglickém jazyce
Influence of pressure and plasma potential on high growth rate microcrystalline silicon grown by very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition
Popis výsledku anglicky
Microcrystalline silicon solar cells were deposited by very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition and influence of pressure and plasma potential was examined
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Japanese Journal of Applied Physics
ISSN
0021-4922
e-ISSN
—
Svazek periodika
45
Číslo periodika v rámci svazku
8A
Stát vydavatele periodika
JP - Japonsko
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
6166-6172
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—