Large area deposition of Pb(Zr,Ti)O3 thin films for piezoelectric MEMS
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00306540" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00306540 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Large area deposition of Pb(Zr,Ti)O3 thin films for piezoelectric MEMS
Popis výsledku v původním jazyce
Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) thin films deposited on insulating ZrO2 buffered silicon wafer are intended to be employed for in-plane polarized piezoelectric MEMS devices. Multi-target reactive sputtering system for large area deposition of in-situ crystallized PZTthin films and the ZrO2 buffer layer has been employed.
Název v anglickém jazyce
Large area deposition of Pb(Zr,Ti)O3 thin films for piezoelectric MEMS
Popis výsledku anglicky
Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) thin films deposited on insulating ZrO2 buffered silicon wafer are intended to be employed for in-plane polarized piezoelectric MEMS devices. Multi-target reactive sputtering system for large area deposition of in-situ crystallized PZTthin films and the ZrO2 buffer layer has been employed.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Electroceramics
ISSN
1385-3449
e-ISSN
—
Svazek periodika
20
Číslo periodika v rámci svazku
-
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
17-20
Kód UT WoS článku
000252768700004
EID výsledku v databázi Scopus
—