Struktury s InAs/GaAs kvantovými tečkami pokryté InGaAs pnutí redukující vrstvou charakterizované fotomodulovanou reflektancí

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00306889" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00306889 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance

Popis výsledku v původním jazyce

Optical properties of MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs covered by thin InxGa1xAs strain reducing layer were studied by photomodulated reflectance and photoluminescence spectroscopy. The increasing In content in the strain reducing layer shifts the luminescence of quantum dots from 1.25 to 1.46 mum and narrows the photoluminescence linewidth. The strong photoluminescence red shift is caused both by the change of the band structure and the height of quantum dots which.

Název v anglickém jazyce

InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance

Popis výsledku anglicky

Optical properties of MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs covered by thin InxGa1xAs strain reducing layer were studied by photomodulated reflectance and photoluminescence spectroscopy. The increasing In content in the strain reducing layer shifts the luminescence of quantum dots from 1.25 to 1.46 mum and narrows the photoluminescence linewidth. The strong photoluminescence red shift is caused both by the change of the band structure and the height of quantum dots which.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials

ISSN

0921-5107

e-ISSN

—

Svazek periodika

147

Číslo periodika v rámci svazku

-

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

175-178

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—