Studium objemových detektorů záření založených na semiizolačním GaAs: role metalizace ohmického kontaktu v transportu elektrického náboje a v detekční účinnosti

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00320708" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00320708 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Study of bulk semi-insulating GaAs radiation detectors: role of ohmic contact metallization in electrical charge transport and detection performance
Popis výsledku v původním jazyce
New types of metallization based on low work function metals were used to prepare ohmic contacts for SI-GaAs radiation detectors. Such metals form blocking barriers for holes. I-V characteristics of the detectors exhibit, comparing with the standard AuGeNi metallization, a reduction of the forward current and other unusual features deserving a more detailed investigation.
Název v anglickém jazyce
Study of bulk semi-insulating GaAs radiation detectors: role of ohmic contact metallization in electrical charge transport and detection performance
Popis výsledku anglicky
New types of metallization based on low work function metals were used to prepare ohmic contacts for SI-GaAs radiation detectors. Such metals form blocking barriers for holes. I-V characteristics of the detectors exhibit, comparing with the standard AuGeNi metallization, a reduction of the forward current and other unusual features deserving a more detailed investigation.

Projekt
<a href="/cs/project/IAA1010404" target="_blank" >IAA1010404: Vliv vnějších polí na nízkorozměrné elektronové struktury</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)