Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00328675" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00328675 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures

Popis výsledku v původním jazyce

Deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements were carried out on GaN/AlGaN/SiC heterostructures prepared by MOVPE. The deep level parameters were correlated with the SiC substrate orientation and the AlGaN layer composition.

Název v anglickém jazyce

Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures

Popis výsledku anglicky

Deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements were carried out on GaN/AlGaN/SiC heterostructures prepared by MOVPE. The deep level parameters were correlated with the SiC substrate orientation and the AlGaN layer composition.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F07%2F0525" target="_blank" >GA202/07/0525: Hluboké defekty v polovodičích pro optoelektronické aplikace</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

105

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000266263300075

EID výsledku v databázi Scopus

—