Opto-electronic microscopic properties of organic heterostructures for photovoltaics
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00339441" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00339441 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61389013:_____/09:00339441
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Opto-electronic microscopic properties of organic heterostructures for photovoltaics
Popis výsledku v původním jazyce
In this study a set of organic heterostructures is prepared as thin films by spin-coating onto ITO covered glass substrates. Various materials are used for their preparation: P3HT and PPV-based conjugated polymers (acting as electron donors) and fullerene-based electron acceptors (PCBM, ThCBM). Semicontact AFM revealed different morphologies of the films with RMS roughness 3-30nm. Microscopic electronic properties, as measured both by CS-AFM and KPM in dark, are homogeneous with no significantly different regions for all the heterostructures. However, different shifts of surface potential (KPM) or the shapes of current-voltage characteristics measured by the AFM tip are observed under illumination.
Název v anglickém jazyce
Opto-electronic microscopic properties of organic heterostructures for photovoltaics
Popis výsledku anglicky
In this study a set of organic heterostructures is prepared as thin films by spin-coating onto ITO covered glass substrates. Various materials are used for their preparation: P3HT and PPV-based conjugated polymers (acting as electron donors) and fullerene-based electron acceptors (PCBM, ThCBM). Semicontact AFM revealed different morphologies of the films with RMS roughness 3-30nm. Microscopic electronic properties, as measured both by CS-AFM and KPM in dark, are homogeneous with no significantly different regions for all the heterostructures. However, different shifts of surface potential (KPM) or the shapes of current-voltage characteristics measured by the AFM tip are observed under illumination.
Klasifikace
Druh
O - Ostatní výsledky
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů