Decomposition of mixed phase silicon Raman spectra

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00339516" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00339516 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Decomposition of mixed phase silicon Raman spectra

Popis výsledku v původním jazyce

Series of Raman spectra were measured for microcrystalline silicon thin film with variable crystallinity. Five sets of Raman spectra (corresponding to excitations at 325 nm, 442 nm, 514.5 nm, 632.8 nm and 785 nm wavelengths) were subjected to factor analysis which showed that each set of spectra consisted of just two independent spectral components. Decomposition of the measured Raman spectra into the amorphous and the microcrystalline components is illustrated for 514.5 nm and 632.8 nm excitations. Effect of the light scattering on absolute intensity of Raman spectra was identified even for excitation wavelength highly absorbed in the mixed phase silicon layers.

Název v anglickém jazyce

Decomposition of mixed phase silicon Raman spectra

Popis výsledku anglicky

Series of Raman spectra were measured for microcrystalline silicon thin film with variable crystallinity. Five sets of Raman spectra (corresponding to excitations at 325 nm, 442 nm, 514.5 nm, 632.8 nm and 785 nm wavelengths) were subjected to factor analysis which showed that each set of spectra consisted of just two independent spectral components. Decomposition of the measured Raman spectra into the amorphous and the microcrystalline components is illustrated for 514.5 nm and 632.8 nm excitations. Effect of the light scattering on absolute intensity of Raman spectra was identified even for excitation wavelength highly absorbed in the mixed phase silicon layers.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology ? 2009

ISBN

978-1-60511-126-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

Materials Research Society

Místo vydání

Warrendale, PA

Místo konání akce

San Francisco, CA

Datum konání akce

13. 4. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—