Effect of local doping on the electronic properties of epitaxial graphene on SiC

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00343352" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00343352 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Effect of local doping on the electronic properties of epitaxial graphene on SiC

Popis výsledku v původním jazyce

Graphene grown on silicon carbide (SiC) is a promising material for high speed electronic devices. However, for possible future applications it is important to understand the electron properties of this material and how it is affected by the interactionwith the SiC interface. Here we report an atomically resolved scanning tunneling microscopy and spectroscopy study of local structural and electronic properties of epitaxial graphene. Sharp localized states from the graphene/SiC(0001) interface have beenfound to strongly influence the electronic properties of the first graphene layer, causing local doping of graphene layer. The disordered high electron density states have originated from the underlying carbon-rich interface layer whose structure is discussed.

Název v anglickém jazyce

Effect of local doping on the electronic properties of epitaxial graphene on SiC

Popis výsledku anglicky

Graphene grown on silicon carbide (SiC) is a promising material for high speed electronic devices. However, for possible future applications it is important to understand the electron properties of this material and how it is affected by the interactionwith the SiC interface. Here we report an atomically resolved scanning tunneling microscopy and spectroscopy study of local structural and electronic properties of epitaxial graphene. Sharp localized states from the graphene/SiC(0001) interface have beenfound to strongly influence the electronic properties of the first graphene layer, causing local doping of graphene layer. The disordered high electron density states have originated from the underlying carbon-rich interface layer whose structure is discussed.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica Status Solidi. A

ISSN

1862-6300

e-ISSN

—

Svazek periodika

207

Číslo periodika v rámci svazku

3

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000276339800021

EID výsledku v databázi Scopus

—