Local enhancement of inelastic tunnelling in epitaxial graphene on SiC(0001)
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00353074" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00353074 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Local enhancement of inelastic tunnelling in epitaxial graphene on SiC(0001)
Popis výsledku v původním jazyce
We have measured the elastic and inelastic tunnelling properties of epitaxial graphene on SiC(0001) using cryogenic scanning tunnelling spectroscopy. We find that the dominant inelastic channel of the out-of-plane acoustic graphene phonon at 70mV is spatially localized to particular regions of the graphene?SiC system that contain localized states. At these locations the maximum inelastic tunnelling channel reaches up to half of the total tunnelling current. The local enhancement of the inelastic tunnelling is found at the localized electron states of the graphene/SiC interface layer. Nonequilibrium Green?s function formalism theory calculations indicate that this intense inelastic channel arises from graphene phonon modes strongly coupled to narrow electron states.
Název v anglickém jazyce
Local enhancement of inelastic tunnelling in epitaxial graphene on SiC(0001)
Popis výsledku anglicky
We have measured the elastic and inelastic tunnelling properties of epitaxial graphene on SiC(0001) using cryogenic scanning tunnelling spectroscopy. We find that the dominant inelastic channel of the out-of-plane acoustic graphene phonon at 70mV is spatially localized to particular regions of the graphene?SiC system that contain localized states. At these locations the maximum inelastic tunnelling channel reaches up to half of the total tunnelling current. The local enhancement of the inelastic tunnelling is found at the localized electron states of the graphene/SiC interface layer. Nonequilibrium Green?s function formalism theory calculations indicate that this intense inelastic channel arises from graphene phonon modes strongly coupled to narrow electron states.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics
ISSN
0370-1972
e-ISSN
—
Svazek periodika
247
Číslo periodika v rámci svazku
10-12
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000285798400083
EID výsledku v databázi Scopus
—