Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Stabilization of semiconductor surface reconstructions by configurational entropy

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00353804" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00353804 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Stabilization of semiconductor surface reconstructions by configurational entropy

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Surface unit cells with a larger area and a reduced symmetry have a larger configurational entropy. The entropy may even stabilize reconstructions with higher energy at finite temperatures. We study the entropy contribution to surface reconstructions onthe basis of ground-state calculations employing density-functional theory. Specifically, the ground-state GaSb(111)A surface reconstruction has a (22) symmetry, but at elevated temperatures, we experimentally observe the (2323)-R30° symmetry in agreement with the theoretical results. The findings based on the general expressions are consistent with experimental data from other semiconductor surfaces.

  • Název v anglickém jazyce

    Stabilization of semiconductor surface reconstructions by configurational entropy

  • Popis výsledku anglicky

    Surface unit cells with a larger area and a reduced symmetry have a larger configurational entropy. The entropy may even stabilize reconstructions with higher energy at finite temperatures. We study the entropy contribution to surface reconstructions onthe basis of ground-state calculations employing density-functional theory. Specifically, the ground-state GaSb(111)A surface reconstruction has a (22) symmetry, but at elevated temperatures, we experimentally observe the (2323)-R30° symmetry in agreement with the theoretical results. The findings based on the general expressions are consistent with experimental data from other semiconductor surfaces.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physical Review. B

  • ISSN

    1098-0121

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    82

  • Číslo periodika v rámci svazku

    12

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000281845900006

  • EID výsledku v databázi Scopus