Analysis of GaSb and AlSb reconstructions on GaSb(111) A- and B-oriented surfaces by azimuthal-scan reflection high-energy electron diffraction

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/68378271:_____/11:00364023 - isvavai.cz

Výsledek na webu

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.155317

DOI - Digital Object Identifier

10.1103/PhysRevB.83.155317

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Analysis of GaSb and AlSb reconstructions on GaSb(111) A- and B-oriented surfaces by azimuthal-scan reflection high-energy electron diffraction

Popis výsledku v původním jazyce

The symmetry and existence ranges of GaSb and AlSb (111) A and B surface reconstructions are investigated using azimuthal-scan reflection high-energy electron diffraction (ARHEED) in a molecular-beam-epitaxy (MBE)environment. ARHEED patterns of all reconstructions within the accessible MBE group V flux-substrate temperature parameter field are presented and analyzed. The transition borders are mapped out as a reference for future growth experiments. The experimental results are interpreted on the basisof general construction principles for (111) surfaces of III-V semiconductors. ARHEED allows the complete determination of the two-dimensional in-plane reciprocal lattice in a single, continuous measurement. This allows the unambiguous identification ofthe reconstructions on (111) surfaces where the intrinsic symmetry is masked by the 120 domain structure and possible disorder.

Název v anglickém jazyce

Analysis of GaSb and AlSb reconstructions on GaSb(111) A- and B-oriented surfaces by azimuthal-scan reflection high-energy electron diffraction

Popis výsledku anglicky

The symmetry and existence ranges of GaSb and AlSb (111) A and B surface reconstructions are investigated using azimuthal-scan reflection high-energy electron diffraction (ARHEED) in a molecular-beam-epitaxy (MBE)environment. ARHEED patterns of all reconstructions within the accessible MBE group V flux-substrate temperature parameter field are presented and analyzed. The transition borders are mapped out as a reference for future growth experiments. The experimental results are interpreted on the basisof general construction principles for (111) surfaces of III-V semiconductors. ARHEED allows the complete determination of the two-dimensional in-plane reciprocal lattice in a single, continuous measurement. This allows the unambiguous identification ofthe reconstructions on (111) surfaces where the intrinsic symmetry is masked by the 120 domain structure and possible disorder.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

GPP204/10/P028: Ztráty energie elektronů u povrchů pevných látek

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review. B

ISSN

1098-0121

e-ISSN

—

Svazek periodika

83

Číslo periodika v rámci svazku

15

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

11

Strana od-do

"155317/1"-"155317/11"

Kód UT WoS článku

000292149600006

EID výsledku v databázi Scopus

—