Low noise as a diagnostic tool for GaSb based laser diodes prepared by Molecular Beam Epitaxy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00384214" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00384214 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Low noise as a diagnostic tool for GaSb based laser diodes prepared by Molecular Beam Epitaxy

Popis výsledku v původním jazyce

Trasnport and noise characteristics of forward biased semiconductor lasers diodes GaSb based VCSE (Vertical Cavity Surface Emitting) laser were prepared by MBE (Molecular Beam Epitaxy) were measured in order to evaluate the new MBE technology.

Název v anglickém jazyce

Low noise as a diagnostic tool for GaSb based laser diodes prepared by Molecular Beam Epitaxy

Popis výsledku anglicky

Trasnport and noise characteristics of forward biased semiconductor lasers diodes GaSb based VCSE (Vertical Cavity Surface Emitting) laser were prepared by MBE (Molecular Beam Epitaxy) were measured in order to evaluate the new MBE technology.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

28th International Conference on microelectronics

ISBN

978-1-4673-0238-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

343-346

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Niš

Datum konání akce

13. 5. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000309119600073