Low Noise as a Diagnostic Tool for GaSb based Laser Diodes Prepared by Molecular Beam Epitaxy

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU100162" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU100162 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Low Noise as a Diagnostic Tool for GaSb based Laser Diodes Prepared by Molecular Beam Epitaxy
Popis výsledku v původním jazyce
Trasnport and noise characteristics of forward biased semiconductor lasers diodes GaSb based VCSE(Vertical Cavity Surface Emitting) laser were prepared by MBE (Molecular Beam Epitaxy) were measured in order to evaluate the new MBE technology.
Název v anglickém jazyce
Low Noise as a Diagnostic Tool for GaSb based Laser Diodes Prepared by Molecular Beam Epitaxy
Popis výsledku anglicky
Trasnport and noise characteristics of forward biased semiconductor lasers diodes GaSb based VCSE(Vertical Cavity Surface Emitting) laser were prepared by MBE (Molecular Beam Epitaxy) were measured in order to evaluate the new MBE technology.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/ED0014%2F01%2F01" target="_blank" >ED0014/01/01: Centrum výzkumu a využití obnovitelných zdrojů energie</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)