Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Low-frequency noise measurements used for quality assessment of GaSb based laser diodes prepared by molecular beam epitaxy

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00450842" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00450842 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.2478/jee-2015-0036" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.2478/jee-2015-0036</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.2478/jee-2015-0036" target="_blank" >10.2478/jee-2015-0036</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Low-frequency noise measurements used for quality assessment of GaSb based laser diodes prepared by molecular beam epitaxy

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper reports on a non-destructive method of reliability prediction for semiconductor lasers diodes GaSb based VCSE (vertical cavity surface emitting). Transport and noise characteristic of forward biased were measured in order to evaluate the new MBE (molecular beam epitaxy) technology. The results demonstrate that the lasers prepared by new MBE technology have higher quality than the samples prepared by using the classic MBE technology.

  • Název v anglickém jazyce

    Low-frequency noise measurements used for quality assessment of GaSb based laser diodes prepared by molecular beam epitaxy

  • Popis výsledku anglicky

    The paper reports on a non-destructive method of reliability prediction for semiconductor lasers diodes GaSb based VCSE (vertical cavity surface emitting). Transport and noise characteristic of forward biased were measured in order to evaluate the new MBE (molecular beam epitaxy) technology. The results demonstrate that the lasers prepared by new MBE technology have higher quality than the samples prepared by using the classic MBE technology.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Electrical Engineering

  • ISSN

    0013-578X

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    66

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    CZ - Česká republika

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    226-230

  • Kód UT WoS článku

    000362388800006

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84940853519