Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00354206" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00354206 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Popis výsledku v původním jazyce

We present a study of the magnetoresistance (MR) of a Si metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET) at the break-down regime when a magnetic field is applied perpendicular to the plane of the device.

Název v anglickém jazyce

Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Popis výsledku anglicky

We present a study of the magnetoresistance (MR) of a Si metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET) at the break-down regime when a magnetic field is applied perpendicular to the plane of the device.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

97

Číslo periodika v rámci svazku

8

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000281306500036

EID výsledku v databázi Scopus

—