Toward surface-friendly treatment of seeding layer and selected-area diamond growth

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/68378271:_____/10:00354793 - isvavai.cz

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Toward surface-friendly treatment of seeding layer and selected-area diamond growth

Popis výsledku v původním jazyce

Several technological approaches of applying photoresistive polymer for patterning the diamond seeding layer while minimizing damage of substrate surface is reported. Reactive ion etching (i.e., dry process) and wet photolithographical processing using two polymer layers are compared and combined as treatment techniques. Subsequently, diamond structures are deposited by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition from a gas mixture of methane diluted in hydrogen. The highest efficiency for selected-area deposition, with the parasitic density as low as the technological limit of 105?cm2, was achieved by combining the two treatment techniques. Technological advantages and limitation of dry and wet treatment process are pointed out.

Název v anglickém jazyce

Toward surface-friendly treatment of seeding layer and selected-area diamond growth

Popis výsledku anglicky

Several technological approaches of applying photoresistive polymer for patterning the diamond seeding layer while minimizing damage of substrate surface is reported. Reactive ion etching (i.e., dry process) and wet photolithographical processing using two polymer layers are compared and combined as treatment techniques. Subsequently, diamond structures are deposited by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition from a gas mixture of methane diluted in hydrogen. The highest efficiency for selected-area deposition, with the parasitic density as low as the technological limit of 105?cm2, was achieved by combining the two treatment techniques. Technological advantages and limitation of dry and wet treatment process are pointed out.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics

ISSN

0370-1972

e-ISSN

—

Svazek periodika

247

Číslo periodika v rámci svazku

11-12

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000285798400091

EID výsledku v databázi Scopus

—