Nanostructured three-dimensional thin ?lm silicon solar cells with very high ef?ciency potential

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00364090" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00364090 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3583377" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.3583377</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3583377" target="_blank" >10.1063/1.3583377</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Nanostructured three-dimensional thin ?lm silicon solar cells with very high ef?ciency potential

Popis výsledku v původním jazyce

We report on the experimental realization of amorphous/microcrystalline silicon tandem solar cells (Micromorph) based on our three-dimensional design. An enhancement is reached in the short-circuit current by 40%, with an excellent open-circuit voltage of 1.41V and a fill factor of 72%. We have used nanoholes or microholes dry etched into the ZnO front contact layer. Monte Carlo optical modeling shows that stable efficiency of amorphous silicon p-i n solar cells in over 12% range is possible. For the Micromorph cells, efficiency over 15% with the thickness of amorphous Si below 200 nm and of microcrystalline Si around 500 nm is possible.

Název v anglickém jazyce

Nanostructured three-dimensional thin ?lm silicon solar cells with very high ef?ciency potential

Popis výsledku anglicky

We report on the experimental realization of amorphous/microcrystalline silicon tandem solar cells (Micromorph) based on our three-dimensional design. An enhancement is reached in the short-circuit current by 40%, with an excellent open-circuit voltage of 1.41V and a fill factor of 72%. We have used nanoholes or microholes dry etched into the ZnO front contact layer. Monte Carlo optical modeling shows that stable efficiency of amorphous silicon p-i n solar cells in over 12% range is possible. For the Micromorph cells, efficiency over 15% with the thickness of amorphous Si below 200 nm and of microcrystalline Si around 500 nm is possible.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

98

Číslo periodika v rámci svazku

16

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

"163503/1"-"163503/3"

Kód UT WoS článku

000289842700072

EID výsledku v databázi Scopus

—