Temperature Dependence of the Optical Absorption Coefficient of Microcrystalline Silicon

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F03%3A04092640" target="_blank" >RIV/68407700:21340/03:04092640 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Temperature Dependence of the Optical Absorption Coefficient of Microcrystalline Silicon

Popis výsledku v původním jazyce

Optical absorption coefficient of amorphous and microcrystalline silicon was determined in a spectral range 400-3100 nm and temperature range 77-350 K. Transmittance measurement and Fourier transform photocurrent spectroscopy were used. The measured dataserved as an input for our optical model of amorphous/microcrystalline solar cell tandem. Differences in the current generated in the amorphous and the microcrystalline parts were computed, for the operation temperature between -20 °C and + 80 °C. Optical spectra of microcrystalline silicon were compared to the spectrum of silicon on sapphire (without hydrogen and hydrogenated) and observed difference was interpreted in terms of a different defect density and higher disorder of microcrystalline Si.

Název v anglickém jazyce

Temperature Dependence of the Optical Absorption Coefficient of Microcrystalline Silicon

Popis výsledku anglicky

Optical absorption coefficient of amorphous and microcrystalline silicon was determined in a spectral range 400-3100 nm and temperature range 77-350 K. Transmittance measurement and Fourier transform photocurrent spectroscopy were used. The measured dataserved as an input for our optical model of amorphous/microcrystalline solar cell tandem. Differences in the current generated in the amorphous and the microcrystalline parts were computed, for the operation temperature between -20 °C and + 80 °C. Optical spectra of microcrystalline silicon were compared to the spectrum of silicon on sapphire (without hydrogen and hydrogenated) and observed difference was interpreted in terms of a different defect density and higher disorder of microcrystalline Si.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Abstracts of the ICAMS 20th - Science and Technology

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

112-112

Název nakladatele

Brasilian Microelectronics Society

Místo vydání

Sao Paulo

Místo konání akce

Campos do Jordao

Datum konání akce

25. 8. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—