Temperature dependence of the optical absorption coefficient of microcrystalline silicon

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49610040%3A_____%2F04%3A30000004" target="_blank" >RIV/49610040:_____/04:30000004 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/49610040:_____/04:20000002 RIV/68407700:21340/04:04105357 RIV/49610040:_____/05:00000037 RIV/49610040:_____/05:00000053

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Temperature dependence of the optical absorption coefficient of microcrystalline silicon

Popis výsledku v původním jazyce

Optical absorption coefficient of amorphous and microcrystalline silicon was determined in a spectral range 400-3100 nm and a temperature range 77-350 K. Transmittance measurement and Fourier transform photocurrent spectroscopy were used. The measured data served as an input for our optical model of amorphous/microcrystalline solar cell tandem. Differences in the current generated in the amorphous and microcrystalline parts were computed, for the operation temperature between -20 °C and +Optical spectraof microcrystalline silicon were compared to the spectrum of silicon on sapphire (without hydrogen and hydrogenated) and observed difference was interpreted in terms of a different density of defects and higher disorder of microcrystalline Si.

Název v anglickém jazyce

Temperature dependence of the optical absorption coefficient of microcrystalline silicon

Popis výsledku anglicky

Optical absorption coefficient of amorphous and microcrystalline silicon was determined in a spectral range 400-3100 nm and a temperature range 77-350 K. Transmittance measurement and Fourier transform photocurrent spectroscopy were used. The measured data served as an input for our optical model of amorphous/microcrystalline solar cell tandem. Differences in the current generated in the amorphous and microcrystalline parts were computed, for the operation temperature between -20 °C and +Optical spectraof microcrystalline silicon were compared to the spectrum of silicon on sapphire (without hydrogen and hydrogenated) and observed difference was interpreted in terms of a different density of defects and higher disorder of microcrystalline Si.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Non-Crystalline Solids

ISSN

0022-3093

e-ISSN

—

Svazek periodika

Volumes 33

Číslo periodika v rámci svazku

15 June 20

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

222-227

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—